مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 46,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.0 W حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه لون JM-600 SATA M.2 2280 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

لون JM-600 SATA M.2 2280 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 470 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 512 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** ویندوز ویستا -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 555 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 515 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 145 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.27 وات * حالت فعال ** 0.34 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 50 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه ای دیتا XPG SX6000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX6000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Realtek PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه ای دیتا LEGEND 740 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 740 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3 x4 NVMe 1.4 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد - 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک

مقایسه امتک X150 Power Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

امتک X150 Power Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** بهینه ساز مصرف انرژی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison S11 PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 0.9 تا 3.6 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 130 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک OS X ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
اندازه و ابعاد - 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک

مقایسه لکسار NM800 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

لکسار NM800 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5800 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد - 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 170,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTTF) ** 60 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
وزن محصول - 7.5 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک M.2 2280
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)