صفحه 6 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش 512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
وزن محصول - 51 گرم

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D MLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW) 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 41 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2200 PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E16 Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
وزن محصول - 2175 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC
وزن محصول - 35 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 85,000ّIOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
وزن محصول - 37.4 گرم