1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 5

صفحه 5 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلیو VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۰ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

msi VS سی‌گیت
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS msi
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC 3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

msi VS سی‌گیت
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D cMLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

msi VS سیگیت
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
وزن محصول - 47 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

msi VS Samsung
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 20 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

msi VS سیلیکون پاور
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
وزن محصول - 63 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

msi VS Samsung
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Native SAS 3.0
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
وزن محصول - 160 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi
ویژگی

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) 2Ch PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 350 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 41 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
مشاهده جزئیات مقایسه