مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 570 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,600IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,100IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** قابل استفاده برای لپ‌تاپ و PC ** زمان دسترسی: 0.07 میلی‌ثانیه کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E13T PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی 2350 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 280,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 210 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 490 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 18,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد ضخامت 7 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 450,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 6 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E21T Marvell 88SS1093
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 280,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 240,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,400,000 ساعت (MTBF) ** 768 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 3.65 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر ** لینوکس
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, FCC, CE, BSMI, VCCI, RCM, KCC, EAC, ROHS, WHQL
وزن محصول - 10 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 60 گرم

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش و ضربه کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 41 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 950,000IOPS

مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 2 تربایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 2 تربایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk BiCS4 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Realtek RTS5763DL PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 3.85 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 10.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 97000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 88000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Maxiotek PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 420 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار ADATA SSD ToolBox ** پشتیبانی از SLC Cache کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle