مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T Native SAS 3.0
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 40,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
وزن محصول - 160 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND NVMe 1.3
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 400 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 4.1 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - FC, CE

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
وزن محصول - 63 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 470,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ای فاکس ME300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای فاکس ME300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1400 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x8 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 HHHL
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) عرضه شده با دو کنترلر SMI یا Phison PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP و بالاتر ** مک OS نسخه 8.6 و بالاتر ** لینوکس 2.6 و بالاتر ** کروم OS -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** مقاوم * برابر ضربه ** مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 450,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 6 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) PS5018-E18 PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
نشانگر وضعیت LED false false
اندازه و ابعاد - 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه کداک X250s SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کداک X250s SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** بهینه ساز مصرف انرژی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 240 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 240 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS -
رنگ‌بندی مشکی، آبی -
اندازه و ابعاد 10 * 61 * 86.7 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** کابل اتصال USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle