| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 | PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 4 ترابایت | 500 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung in-house Controller | PHISON E19T |
| نرخ خواندن ترتیبی | 7450 مگابایت بر ثانیه | 3600 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 6900 مگابایت بر ثانیه | 2300 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 1,400,000IOPS | 300,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 1,550,000IOPS | 550,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 (MTBF) ساعت | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه ** نرمافزار Samsung Magician | الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از دادهها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) |
| اندازه و ابعاد | 2.3 * 22 * 80 میلیمتر | 2.15 * 22 * 80 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 9 گرم | - |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
| میزان توان مصرفی | - | حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلیوات * حالت Idle |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده