صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS لکسار

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	- نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	-	98 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS خودروسازی دی اس

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	-	52 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	-

مشاهده جزئیات مقایسه