صفحه 15 از مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 535 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 91,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SandForce 2200
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
اندازه و ابعاد - 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر
وزن محصول - 68 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول - 47 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 450,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM620
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد - 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 480,000IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 500,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 750,000IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
اندازه و ابعاد - 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 290,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
اندازه و ابعاد - 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 11 گرم

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم