صفحه 14 از مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مایکرون VS Samsung

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مایکرون VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,600,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit Encryption
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
وزن محصول	-	11 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مایکرون VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison E13T
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS توین موس

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مایکرون VS msi

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
وزن محصول	-	9.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مایکرون VS msi

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS msi

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مایکرون VS Samsung

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مایکرون VS کینگ مکس

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
وزن محصول	-	10 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS msi

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مایکرون VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	260,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	MAP1202
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
رنگ‌بندی	-	آبی
وزن محصول	-	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه