مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS لکسار

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مایکرون VS ایکس پی جی

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	11 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مایکرون VS ای دیتا

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مایکرون VS ای دیتا

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مایکرون VS سامسونگ

ویژگی	مایکرون 2450 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	حفاظت از اتلاف انرژی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 42 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	کمتر از 5500 میلی‌وات هنگام استفاده ** کمتر از 400 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 3 میلی‌وات هنگام خواب	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه