مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 -
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۲۴۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه -
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) -
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 ۲.۵"
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۵۵۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072با

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 1 ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.2 2280
پورت اتصال حافظه Serial ATA III M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
فناوری رمزنگاری No
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
شیوه اتصال - NVMe
نرخ خواندن ترتیبی - 7150 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) - آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - کارآمد

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 -
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 ۲.۵"
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان ظرفیت حافظه - ۲۴۰ گیگابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۵۵۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072با

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 1 ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰ IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰ IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
فناوری رمزنگاری No رمزگذاری AES 256 بیتی
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 NVMe
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
نرخ خواندن ترتیبی - تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - بله
محدوده دمای عملیاتی - 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis Controller
قابلیت پشتیبانی از NCQ - بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM - بله
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
وزن محصول - تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۴۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۱۵۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072با ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 2 ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰ IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰ IOPS 1000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی - 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
وزن محصول - 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 512 MB
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰ IOPS 800,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۴۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۱۵۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072با ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 1 ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰ IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰ IOPS 950,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 4 ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰ IOPS 1,550,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۴۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۱۵۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072با ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A17072

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 2 ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰ IOPS 700,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
وزن محصول - 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false