صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS ای دیتا

ویژگی	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا انوید 5 به بالا * لینوکس Kernel 2.6 به بالا	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.1 * 38 * 107 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	66.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS خودروسازی دی اس

ویژگی	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا انوید 5 به بالا * لینوکس Kernel 2.6 به بالا	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	12.1 * 38 * 107 میلی‌متر	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه	پلاستیک	پلاستیک
وزن محصول	66.5 گرم	52 گرم
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS کلو

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا انوید 5 به بالا * لینوکس Kernel 2.6 به بالا
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	12.1 * 38 * 107 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	8 گرم	66.5 گرم
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS سامسونگ

ویژگی	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا انوید 5 به بالا * لینوکس Kernel 2.6 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.1 * 38 * 107 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	66.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کلو VS سامسونگ

ویژگی	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا انوید 5 به بالا * لینوکس Kernel 2.6 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.1 * 38 * 107 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	66.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS لکسار

ویژگی	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا انوید 5 به بالا * لینوکس Kernel 2.6 به بالا	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.1 * 38 * 107 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	66.5 گرم	9 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کلو VS سامسونگ

ویژگی	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا انوید 5 به بالا * لینوکس Kernel 2.6 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.1 * 38 * 107 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	66.5 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه