1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS کلو
ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 490 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM -
مواد بدنه آلومینیوم -
اندازه و ابعاد 6.7 * 70 * 100 میلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول 50 گرم 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

کلو VS سامسونگ
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 350 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,440 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک) 46 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

کلو VS سامسونگ
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 350 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک) 45 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 6.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

کلو VS سامسونگ
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 350 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) -
وزن محصول 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک) 160 گرم
کنترلر (Controller) - Native SAS 3.0
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS ام جی
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 350 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک) 45 گرم
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS پلکستور
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 350 (TBW) ترابایت 2,400,000 ساعت (MTBF) ** 768 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 3.65 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک) 10 گرم
کنترلر (Controller) - Marvell 88SS1093
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 280,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 240,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر ** لینوکس
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, FCC, CE, BSMI, VCCI, RCM, KCC, EAC, ROHS, WHQL
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

کلو VS سامسونگ
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 350 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک) 70 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung Metis Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 30,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کلو VS پی ان وای
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 350 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک) 6.6 گرم
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای فاکس ME300 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه ای فاکس ME300 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه ای فاکس ME300 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای فاکس VS کلو
ویژگی

ای فاکس ME300 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
طول عمر متوسط - 350 (TBW) ترابایت
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
وزن محصول - 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS کلو
ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2267EN -
نرخ خواندن ترتیبی 3900 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 380,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 540,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW) 350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC -
اندازه و ابعاد 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول 10 گرم 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED false -
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS کلو
ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1150 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 150 ترابایت (TBW) 350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول 12 گرم 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS کلو
ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5100 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 850,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - 350 (TBW) ترابایت
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
وزن محصول - 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
مشاهده جزئیات مقایسه