صفحه 9 از مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS سیلیکون پاور

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کلو VS ام جی

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS ویکومن

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	55 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کلو VS ام جی

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	80,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS اس کی هاینیکس

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	25,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS ام جی

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS ترنسند

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	MLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	70,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

کلو VS سیلیکون پاور

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	SLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه