نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | SATA 6Gb/s |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2.5 اینچ |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 960 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D BiCS TLC |
کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 555 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 3300 مگابایت بر ثانیه | 540 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 600,000IOPS | 81,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 550,000IOPS | 88,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 1 گیگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 65 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 5 ولت |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle | - 1.7 وات در حالت فعال - 100 میلیوات در حالت Idle - 10 میلیوات در حالت DevSlp |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 7.20 × 70.10 × 100.45 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | 45.7 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟