صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3 x 4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7.1 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3 x 4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 7.1 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX

مقایسه کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3 x 4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7.1 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3 x 4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 7.1 گرم 52 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -

مقایسه کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3 x 4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 7.1 گرم 31 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت

مقایسه کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3 x 4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 7.1 گرم 60 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A

مقایسه کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA G2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3 x 4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 7.1 گرم 98 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -