صفحه 6 از مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

در این صفحه 5 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO$

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۶۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۹۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive$

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

گیگابایت VS کینگستون

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۶۹۰۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS توین موس

ویژگی	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۶۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۹۰۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۶۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۹۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۶۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۹۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه