1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ای دیتا
ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 7 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 510,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2267EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS کینگستون
ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7 گرم
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS ای دیتا
ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 7 گرم 60 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 7 گرم 98 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لکسار VS کینگستون
ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 7 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 256,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) DM620 -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS خودروسازی دی اس
ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 7 گرم 52 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه