مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 PCIe 4.0 x4
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) -
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله false
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی - 2800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS کینگستون
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 7 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS کینگستون
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 7 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) ۶۴۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D NAND
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC ۳D NAND
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) ۱۶۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۲.۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D NAND
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

ویژگی

کینگستون NV2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد