1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ای دیتا
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 11 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) SMI 2262EN Silicon Motion SM2267EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ای دیتا
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 11 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2262EN -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2262EN Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS خودروسازی دی اس
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 11 گرم 52 گرم
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2262EN -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS لکسار
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2262EN DM620
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2262EN Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2262EN Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه