1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 5

صفحه 5 از مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

کینگستون VS لنوو
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 6.8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

کینگستون VS کلیو
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.8 گرم ۱۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

کینگستون VS لنوو
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.8 گرم ۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

کینگستون VS ایکس‌پی‌جی
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۲۵۰
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 6.8 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.8 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

کینگستون VS لنوو
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 6.8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

کینگستون VS کینگستون
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۳۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.8 گرم ۱۴۶.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

کینگستون VS سی‌گیت
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND ۳D cMLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 6.8 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت با کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت با کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS کینگستون
ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 6.8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
فناوری رمزنگاری - TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, VCCI, FCC, BSMI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه