مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 6.8 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 6.8 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Maxio Technology MAS0902A

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Elpis

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Elpis

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Phoenix

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 31 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 NANYA DDR3
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN SMI SM2262EN

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Phoenix

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Phoenix

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 6.8 گرم 98 گرم
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 6.8 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 DDR4
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Silicon Motion SM2267EN