صفحه 12 از مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 390,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 42 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
محتویات جعبه - مایع خنک‌کننده

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1,200,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6.8 گرم 660 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1,600,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit Encryption
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6.8 گرم 11 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10، 11 ** مک OS X

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND SLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 59,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND MLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN SandForce 2200
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 535 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 91,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول 6.8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false