صفحه 16 از مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	98 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS لکسار

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	DM620
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Maxio Technology MAS0902A
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	60 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
مواد بدنه	-	پلاستیک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	31 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS کینگستون

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	CE, VCCI, FCC, BSMI
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS کینگستون

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, VCCI, FCC, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS کینگستون

ویژگی	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	210,000IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
قابلیت‌های جانبی	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco	CE, VCCI, FCC, BSMI
اندازه و ابعاد	8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	13.4 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2263EN
نوع حافظه DRAM	-	DDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	480,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه