مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS CE, VCCI, FCC, BSMI
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 256 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Micron 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN DM928
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 168 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI CE, FCC, VCCI,RCM
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2200 SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 150,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
فناوری رمزنگاری - TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, VCCI, FCC, BSMI

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
میزان توان مصرفی - 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, VCCI, FCC, BSMI
وزن محصول - 6.6 گرم