صفحه 14 از مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS PNY

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	880 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	FCC, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز ** مک
مواد بدنه	-	آلومینیوم
محتویات جعبه	-	1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS کلو

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	SMI SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال پشتیبانی از کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 96L TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison E13T
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS مایکروسافت

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS KingSpec

ویژگی	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D MLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	41 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS بلو

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	390,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه