نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 250 گیگابایت | 250 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | Micron 96L 3D TLC NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | SMI SM2263EN |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 2000 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 1100 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 250,000IOPS | 150,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 550,000IOPS | 180,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | دارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | DDR4 |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش | - 1.7 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 80 میلیوات به صورت میانگین - 3.2 میلیوات در حالت Idle |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive |
قابلیتهای جانبی | - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرمافزار Magician Software for SSD | - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش در حالت فعال و غیرفعال |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 3.5 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | 6.6 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
مجوزها و تاییدیهها | - | CE, VCCI, FCC, BSMI |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟