صفحه 12 از مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	390,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	42 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	410 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	سازگار با پلی‌استیشن 5 مک OS ایکس ویندوز 10
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	1,200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.6 گرم	660 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	370,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	5.4 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	9 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS توین موس

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.6 گرم	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	RoHS
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	-

مشاهده جزئیات مقایسه