مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS CE, VCCI, FCC, BSMI
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive

مقایسه با کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND Micron 96L 3D TLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
اندازه و ابعاد M.2 2280 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, VCCI, FCC, BSMI
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM true بله
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive رمزگذاری AES 256 بیتی
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم تقریباً 8.0 گرم
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, VCCI, FCC, BSMI
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 6.6 گرم -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه با کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه 2200 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا SMI SM2263EN
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
اندازه و ابعاد M.2 2280 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, VCCI, FCC, BSMI
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم -

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۸ گرم

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۸ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 6.6 گرم -

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, VCCI, FCC, BSMI
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۳۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive Yes
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۱۴۶.۲ گرم