| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | M.2 22110 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 960 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Micron 96L 3D TLC NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| کنترلر (Controller) | SMI SM2263EN | Phoenix |
| نرخ خواندن ترتیبی | 2200 مگابایت بر ثانیه | 3000 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2000 مگابایت بر ثانیه | 1200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 250,000IOPS | 400,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 220,000IOPS | 38,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | دارد |
| نوع حافظه DRAM | DDR4 | Samsung 1.5 GB LPDDR4 |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلیوات به صورت میانگین ** 3.2 میلیوات * حالت Idle | 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive | AES 256-bit |
| قابلیتهای جانبی | پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال | - |
| مجوزها و تاییدیهها | CE, VCCI, FCC, BSMI | پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه |
|---|
| اندازه و ابعاد | 3.5 * 22 * 80 میلیمتر | 38 × 22 × 110.2 ميلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 6.6 گرم | 20 گرم |
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!