مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 336 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 81,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 80,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
نوع حافظه DRAM - DDR3
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 115 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false