مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

کینگ مکس VS بلو

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	81,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کینگ مکس VS لکسار

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	168 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM928
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI,RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگ مکس VS PNY

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

کینگ مکس VS لکسار

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	336 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM928
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI,RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS PNY

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	4300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS PNY

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	6850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)
وزن محصول	8.5 گرم	45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه