| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 2 ترابایت | 512 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 4-bit MLC | 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung MJX | Phison PS5012-E12 |
| نرخ خواندن ترتیبی | 550 مگابایت بر ثانیه | 1950 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 520 مگابایت بر ثانیه | 1550 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 97,000IOPS | 130,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 89,000IOPS | 230,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 2GB LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | 3.3 ولت |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلیوات * حالت آماده باش ** 3.5 میلیوات * حالت DevSlp | 3.5 وات در حالت فعال |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | - |
| قابلیتهای جانبی | - | پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه |
| اندازه و ابعاد | 6.8 * 69.85 * 100 میلیمتر | 22 * 80 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 62 گرم | 10 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده