| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 2 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung In-House Controller | Phison PS5012-E12 |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 2450 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 2100 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | 220,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 480,000IOPS | 330,000IOPS |
| حافظه DRAM | ندارد | ندارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) | 2,000,000 (MTBF) ساعت |
| میزان توان مصرفی | 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلیوات * حالت Idle | 4.15 وات در حالت فعال |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| قابلیتهای جانبی | - | پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه |
| مجوزها و تاییدیهها | FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 22 * 80 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | 10 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده