1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کروشیال VS اینتل
ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Intel 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 7 * 95 * 125 میلی‌متر ضخامت 15 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 139 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 637,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 81,500IOPS
میزان توان مصرفی - 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS لکسار
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 256 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

اینتل VS لکسار
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) 336 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS مایکروسافت
ویژگی

اینتل SSD DC P4510 NVMe 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.1 x4 / NVMe 1.2 درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 637,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 81,500IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 2.61 پتابایت (PBW) -
میزان توان مصرفی 12 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد ضخامت 15 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول 139 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
مشاهده جزئیات مقایسه