مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	-
میزان توان مصرفی	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	-
میزان توان مصرفی	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ایکس پی جی VS اینتل

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	11 گرم	-
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	290,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ای دیتا VS اینتل

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	-
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل

ویژگی	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	13 * 59 * 88 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، طوسی	-
وزن محصول	98 گرم	-
میزان توان مصرفی	-	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	18,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ای دیتا VS اینتل

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	290,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

اینتل VS ای دیتا

ویژگی	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	-	60 گرم
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	18,000IOPS	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 64-Layer 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	490 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ

ویژگی	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	18,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	490 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ

ویژگی	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	18,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	490 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اینتل VS ای دیتا

ویژگی	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	18,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 64-Layer 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	490 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه