صفحه 8 از مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	10 گرم	-
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	46 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Intel VS ام جی

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	TLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	115 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	63 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

Intel VS توشیبا

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	-
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	2175 گرم
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	85,000ّIOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	37.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Intel VS ام جی

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Intel VS ام جی

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	100,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS اس کی هاینیکس

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

Intel VS توشیبا

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	-
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	10 گرم	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه