صفحه 9 از مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	-
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	-	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

Intel VS ام جی

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Intel VS ترنسند

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	MLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	70,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	57 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Intel VS ترنسند

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	-	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	25,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Intel VS ویکومن

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز (7،8،8.1،10) مک OS لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	-	10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	100 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS اس کی هاینیکس

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
اندازه و ابعاد	-	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
اندازه و ابعاد	-	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	46 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
اندازه و ابعاد	-	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	46 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Intel VS بلو

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	82,000ّIOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	-	4.8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS ام جی

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه