صفحه 13 از مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعت
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	-	3.9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Intel VS msi

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	1000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS کینگ مکس

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	-	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	10 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Intel VS msi

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Intel VS توین موس

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS msi

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	-	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS لکسار

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول	-	40.6 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

Intel VS سیگیت

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Intel VS PNY

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 128-bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
اندازه و ابعاد	-	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	6.6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه