صفحه 11 از مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	170,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	2.8 آمپر
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	7.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	85,000ّIOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
اندازه و ابعاد	-	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	-	37.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	63 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

Intel VS توین موس

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک OS نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
رنگ‌بندی	-	خاکستری، رزگلد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

Intel VS تروبایت

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	86 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Intel VS msi

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	54.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	-
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه