صفحه 12 از مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS msi

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256bit
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS کینگ مکس

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	-	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	10 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS کلو

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2263XT
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد	-	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

Intel VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	NAND Flash
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

Intel VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	260,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256bit
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	MAP1202
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
رنگ‌بندی	-	آبی
اندازه و ابعاد	-	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول	-	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS msi

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
قابلیت‌های جانبی	-	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	-	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	480,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	450,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Intel VS لکسار

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	DM620
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد	-	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه