مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

گیگابایت VS اینتل

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	78,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	85,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES یا 256 بیت

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS ام اس آی

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	1000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256bit
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS ام اس آی

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS لکسار

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
اندازه و ابعاد	-	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول	-	40.6 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

اینتل VS توین موس

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک OS نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
رنگ‌بندی	-	خاکستری، رزگلد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	AES 256-bit Encryption (Class 0)
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Metis Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	70 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

اینتل VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	3.84 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
کنترلر (Controller)	-	Native SAS 3.0
وزن محصول	-	160 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

اینتل VS تروبایت

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	120 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS اس کی هاینیکس

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
اندازه و ابعاد	-	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES یا 256 بیت	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه