در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
|
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 1 ترابایت |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | آخرین حافظه NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | 7150 مگابایت بر ثانیه |
| ویژگی |
گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
|---|---|---|
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | Serial ATA III |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | - |
| ویژگی |
|
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
|---|---|---|
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
| پورت اتصال حافظه | M.2 | Serial ATA III |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | NVMe PCIe Gen4 x4 | - |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
|---|---|---|
| وزن محصول | ۱۶۴ گرم | ۹۷ گرم |
| اندازه و ابعاد | ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلیمتر | 2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلیمتر) |
| محتویات جعبه | Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices | - |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
|
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 1 ترابایت |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | Samsung V-NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | تا 7,450 مگابایت بر ثانیه |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
|
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 512 گیگابایت |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | حافظه فلش سهبعدی NAND (TLC/QLC) |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | تا 2400 مگابایت بر ثانیه |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت |
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 500 MB |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | 3D NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | 3600 مگابایت بر ثانیه |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت |
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 512 MB |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | 3D NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | 1950 مگابایت بر ثانیه |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت |
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 512 MB |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | Samsung TLC V-NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | 6900 مگابایت بر ثانیه |
| ویژگی |
گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
|---|---|---|
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | Serial ATA III |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | - |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت |
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 2 ترابایت |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | 3D NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | 7400 مگابایت بر ثانیه |
| ویژگی |
اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G |
ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت |
|---|---|---|
| میزان ظرفیت حافظه | ۱۲۰ گیگابایت | 1 ترابایت |
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | MLC | 3D NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه | 5000 مگابایت بر ثانیه |