صفحه 14 از مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS توین موس

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	-
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

اچ پی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	2 MB DDR4
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	1000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

اچ پی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS مایکروسافت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

اچ پی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM	-	1 MB DDR4
طول عمر متوسط	-	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه