صفحه 12 از مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	200 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

اچ پی VS تروبایت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	-
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	100,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ترنسند

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	70,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Transcend TS6500
نوع حافظه DRAM	-	512 MB DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
کنترلر (Controller)	-	ASMedia ASM2364
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر مک OS نسخه 10.11 و بالاتر پلی‌استیشن 5 پلی‌استیشن 4 پرو پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ایکس باکس سری S و X ایکس باکس وان
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS توین موس

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	-
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS لکسار

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM620
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	42 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه