صفحه 5 از مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	450 گرم	۷.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

اچ پی VS لنوو

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	۴۷۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	450 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

اچ پی VS کینگستون

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	۹۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	۷۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	۳۵۰۴
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	450 گرم	۶۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

اچ پی VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	۲۵۰
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	450 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

اچ پی VS سی‌گیت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	450 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

اچ پی VS کینگستون

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	450 گرم	۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ترنسند

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	-
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه