1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه نگه‌دارنده SmartDrive کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SAS -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 150 گرم 98 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS خودروسازی دی اس
ویژگی

اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه نگه‌دارنده SmartDrive کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SAS -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 150 گرم 52 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ایکس پی جی
ویژگی

اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

محتویات جعبه نگه‌دارنده SmartDrive -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 150 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS لکسار
ویژگی

اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه نگه‌دارنده SmartDrive -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 150 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه نگه‌دارنده SmartDrive -
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 150 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه نگه‌دارنده SmartDrive -
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 150 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه نگه‌دارنده SmartDrive -
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 150 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller
مشاهده جزئیات مقایسه