صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 13.4 گرم
میزان توان مصرفی 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 134,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 34,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 134,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 34,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 134,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 34,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1.92 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Controller -

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 134,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 34,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 134,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 34,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 134,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 34,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 134,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 34,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620