مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم پلاستیک
وزن محصول 50 گرم 60 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 98 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2267EN

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه آلومینیوم پلاستیک
وزن محصول 50 گرم 52 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 8 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 6.7 × 70 × 100 میلی‌متر 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 31 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت