1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.2 * 65 * 92 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه فلز و پلاستیک -
وزن محصول 58 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 73,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.2 * 65 * 92 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه فلز و پلاستیک -
وزن محصول 58 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 73,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64L TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung Phoenix Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.2 * 65 * 92 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه فلز و پلاستیک -
وزن محصول 58 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 73,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ایکس پی جی
ویژگی

اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.2 * 65 * 92 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه فلز و پلاستیک -
وزن محصول 58 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 73,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64L TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 DDR3L
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.2 * 65 * 92 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه فلز و پلاستیک -
وزن محصول 58 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 73,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS لکسار
ویژگی

اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.2 * 65 * 92 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه فلز و پلاستیک -
وزن محصول 58 گرم 9 گرم
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 73,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64L TLC NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN DM620
مشاهده جزئیات مقایسه