مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS لکسار

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 1.2 وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه